钙钛矿场效应晶体管（FET）的性能主要受器件不稳定性的阻碍，其起源仍然知之甚少。剑桥大学Henning Sirringhaus和化学所Liang Jiang团队研究了基于CH₃NH₃PbBr₃的钙钛矿单晶FET，并研究了由钙钛矿和金源极-漏极顶部接触界面处的电化学反应引起的器件不稳定性。尽管通过温和，柔软的层压方法形成触点，但发现即使在这种“理想”界面处，在器件偏置时在界面处形成有缺陷的混合层也是有证据的。使用底部接触，底部栅极结构，显示可以通过电极的化学改性使这种反应最小化，这使得能够制造具有高达约15 cm²V^-1 s^-1的高迁移率的钙钛矿单晶FET。这项工作解决了实现高性能溶液处理钙钛矿FET的关键挑战之一。

Wang, J., Senanayak, S. P., Liu, J., Hu, Y., Shi, Y., Li, Z., Zhang, C., Yang, B., Jiang, L., Di, D., Ievlev, A. V., Ovchinnikova, O. S., Ding, T., Deng, H., Tang, L., Guo, Y., Wang, J., Xiao, K., Venkateshvaran, D., Jiang, L., Zhu, D., Sirringhaus, H., Investigation of Electrode Electrochemical Reactions in CH3NH3PbBr3 Perovskite Single‐Crystal Field‐Effect Transistors. Adv. Mater. 2019, 1902618.

https://doi.org/10.1002/adma.201902618

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201902618