具有天然“多量子阱”（MQW）结构的二维（2D）卤化铅钙钛矿显示出光电应用的巨大潜力。持续进步需要对这些2D异质层中的电荷和能量流有基本的了解，特别是在层边缘处。宾夕法尼亚州立大学Kai Wang和Shashank Priya团队报道了（C₄H₉NH₃）₂PbI₄ 2D钙钛矿单晶中绝缘体积平台区域之间的层边缘处的明显导电特征。2D的边缘表现出高载流子密度~10²¹ cm^-3。研究发现，层边电子与表面充电效应无关;相反，它们与边缘处的电子结构的局部能态相关联。这种对2D钙钛矿层边缘处的金属样导电特征的观察提供了不同的尺寸，以增强下一代光电子器件的性能并开发创新的纳米电子学。

Wang, K. et al. Distinct conducting layer edge states in two-dimensional (2D) halide perovskite. Sci. Adv. 5, eaau3241, 2019

Doi:10.1126/sciadv.aau3241.

https://advances.sciencemag.org/content/5/7/eaau3241