已有研究表明CsPbI_3-xBr_x（x = 1-2）全无机钙钛矿可以克服CsPbI₃的相不稳定性。然而，与CsPbI₃（1.73 eV）相比，Br的添加不可避免地导致带宽太宽（1.93-2.03eV）。为了避免这种情况，韩国中央大学Dong-Won Kang研究团队开发具有较低Br含量稳定的α-CsPbI_3-xBr_x（x <0.7）钙钛矿薄膜。研究人员将CsBr溶液旋涂到CsPbI₃上将Br-结合到CsPbI₃晶格中，极大地增强了所得CsPbI_3-xBr_x（x <0.7）钙钛矿薄膜的形态，光学性质，稳定性和光伏性能。在x = 0.66时，具有1.84eV的相对低带隙的钙钛矿膜实现了14.08％的功率转换效率（PCE），并且在没有封装的氮气氛下储存1,200小时后，PCE保持在初始水平的70％左右。使用动态CsBr处理的这种两步生长可制备具有优异稳定性的无机钙钛矿光伏电池。

Parida, B. Kang, D.-W. et al. Two-step Growth of CsPbI3-xBrx Films Employing Dynamic CsBr Treatment: Toward All-inorganic Perovskite Photovoltaics with Enhanced Stability. JMCA 2019.

DOI:10.1039/C9TA05948B

https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2019/ta/c9ta05948b