2D和准2D钙钛矿材料使得与许多光电应用相关的器件性能和稳定性得到了进步。然而，这些可变量子限制材料的带之间的对准仍然是一个有争议的话题：已有多篇实验报道支持i型，也有多篇实验报道支持ii型，即降维晶粒间的带对齐。近日，多伦多大学Edward H. Sargent联合意大利技术研究所Filippo De Angelis报道了一项计算和实验相结合的研究，结果显示颗粒表面上的可变配体浓度调节相邻量子阱中的表面电荷密度。密度泛函理论计算和紫外光电子能谱表明，通过调节界面处配体的密度，可以改变给定量子阱的有效功函数。通过处理二维钙钛矿薄膜，研究人员发现有效的功函数可以向下移动高达1 eV。这些发现揭示了钙钛矿二维带对准，并解释了文献中LED和PV中准二维材料的对比行为，其中材料可以表现出I型或II型界面，这取决于相邻表面的配体浓度。

Quintero-Bermudez, R. Angelis, F. D. Sargent, E. H. et al. Ligand-Induced Surface Charge Density Modulation Generates Local Type-II Band Alignment in Reduced-Dimensional Perovskites. JACS 2019.

DOI:10.1021/jacs.9b04801

https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jacs.9b04801?rand=ox19v1sd