2D和准2D钙钛矿材料提高了光电器件性能和稳定性。然而，这些可变量子限域材料的能级对准仍然是一个有争议的话题。Edward H. Sargent团队报道了一项计算和实验相结合的研究，发现颗粒表面上的可变配体浓度调节相邻量子阱中的表面电荷密度。研究表明，通过调节界面处配体的密度，可以改变给定量子阱的有效功函数。这些在I型排列的材料中诱导II型界面。通过处理二维钙钛矿薄膜，发现有效的功函数确实可以向下移动高达1 eV。这些发现揭示了钙钛矿二维能级对准，并解释了文献中LED和PV中准二维材料的不同行为，其中材料可以表现出I型或II型界面，具体取决于相邻表面的配体浓度。

Quintero-Bermudez, R. et al. Ligand-Induced Surface Charge Density Modulation Generates Local Type-II Band Alignment in Reduced-Dimensional Perovskites. J. Am. Chem. Soc., 2019

Doi:10.1021/jacs.9b04801 (2019).

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.9b04801