传统的光伏器件目前由相对厚的半导体层制成，对于硅为~150 μm，对于CuInGaSe，CdTe或III-V直接带隙半导体为2-4 μm。超薄太阳能电池可以大大节省材料和处理时间。理论模型表明光捕获可以补偿减少的单程吸收，但光学和电学损失极大地限制了其性能。巴黎萨克莱大学Stéphane Collin提出了一种基于平面有源层中多谐振吸收的策略，、开发了一种205 nm厚的GaAs太阳能电池，其认证效率为19.9％。它使用通过软纳米压印光刻制造的纳米结构银背镜。利用光栅引起的多个重叠共振实现宽带光捕获。对整个太阳能电池架构进行全面的光学和电气分析，为进一步改进提供了途径，并表明25％的效率是是可以实现的。

A 19.9%-efficient ultrathin solar cell based on a 205-nm-thick GaAs absorber and a silver nanostructured back mirror, Nature Energy (2019)

https://www.nature.com/articles/s41560-019-0434-y