异质结工程在开发具有特殊性能的创新人造材料方面发挥了不可或缺的作用，因此引发了实现高性能光电器件的新革命。中山大学Dai-Bin Kuang团队首次原位制造了一种卤化钙钛矿（PVK）和金属二硫化物（MD）异质结，即无铅Cs₂SnI₆纳米晶/SnS₂纳米片异质结。研究表明，共享Sn原子能够使Cs₂SnI₆/SnS₂与II型带对齐结构紧密接触。此外，通过瞬态吸收测量，在Cs₂SnI₆/SnS₂中观察到了SnS₂和Cs₂SnI₆之间的超快载流子分离，这有效地延长了SnS₂中光生电子的寿命（从1290到3080 ps）。Cs₂SnI₆/SnS₂中的空间电荷分离显著提高了光催化活性-CO₂还原和光电化学性能，与未加工的SnS₂相比，分别增强了5.4倍和10.6倍 。这项工作为原位制备PVK-MD异质结提供了一种简便有效的方法，可以促进各种钙钛矿基杂化材料的合成及其进一步的光电应用。

In Situ Construction of a Cs2SnI6 Perovskite Nanocrystal/SnS2 Nanosheet Heterojunction with Boosted Interfacial Charge Transfer，J. Am. Chem. Soc. 2019

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.9b04482