JACS: 在阴离子层间插入阴离子:不寻常的S-Se离子键和空穴掺杂诱导的超导性
Yolerz Yolerz 2019-08-08

相反电荷离子的配对是化学的核心原理。即使插入阴离子的能力对于许多应用来说是理想的,但对于最外层是阴离子的许多主体材料而言仍然是个挑战。

中科院Xiaolong Chen和Shifeng Jin团队通过水热离子交换合成,在FeSe的Se层间嵌入氧化S和Se阴离子,从而形成了一种新化合物(Se/S)x(NH3)yFe2Se2单晶。其中,插入的S(或Se)和Se层之间不寻常的阴离子-阴离子键合表现出强的离子特性。通过Se层向S(或Se)插层剂的电荷转移通过Fe离子升高的氧化价态和插层化合物中的主要空穴载流子得到证实。通过嵌入S,使得在空穴掺杂的铁硫属元素化物中出现了超导性。层状FeS和NiSe进一步证明了这种化学方法的普遍性。

 

Ruijin Sun, Shifeng Jin, Lin Gu, Qinghua Zhang, Qingzhen Huang, Tianping Ying, Yiran Peng, Jun Deng, Zhiping Yin, Xiaolong Chen, Intercalating Anions in-between Terminated Anion Layers: Unusual Ionic S-Se Bonds and Hole-doping Induced Superconductivity in S0.24(NH3)0.26Fe2Se2, J. Am. Chem. Soc.2019

DOI: 10.1021/jacs.9b05899

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jacs.9b05899

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