近日，广东工业大学Ning Cai联合香港城市大学Sai-Wing Tsang报道了两种新型D-π-D空穴传输材料（HTM），缩写为BDT-PTZ和BDT-POZ，由4,8‐di(hexylthio)‐benzo[1,2‐b:4,5‐b′]dithiophene (BDT) 作为π-共轭接头，和N‐(6‐bromohexyl) phenothiazine (PTZ)/N‐(6‐bromohexyl) phenoxazine (POZ) 作为供体单元。 上述两种HTM在p-i-n钙钛矿太阳能电池（PSC）中作为无掺杂剂的HT层，分别具有18.26％和19.16％的优异功率转换效率。 特别是，BDT-POZ表现出优异的填充因子81.7％，这与其通过稳态/瞬态荧光光谱和空间电荷限制电流技术验证的更有效的空穴提取和传输一致。 单晶X射线衍射表征暗示这两种分子呈现不同的堆积趋势，这可能解释了PSC中的各种界面空穴传输能力。

Chen, Y. Cai, N. Tsang, S.-W. et al. Rational Design of Dopant‐Free Coplanar D‐π‐D Hole‐Transporting Materials for High‐Performance Perovskite Solar Cells with Fill Factor Exceeding 80%. AEM 2019.

DOI:10.1002/aenm.201901268

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aenm.201901268