氧化铟锡（ITO）由于其高透光率和高导电性而被广泛应用于光电子学，但其在掺杂条件下的性能退化限制了其作为半导体材料的应用。在本文中，华中科技大学和北京大学的Yanqing Wu等制造了基于超薄（小于4nm）ITO沟道和等效氧化层厚度为0.8nm的高质量掺镧氧化铪介质的短沟道有源晶体管，其性能可与现有金属氧化物和新兴的二聚体相媲美。研究人员测量了这种40纳米晶体管的短通道抗扰度，其阈下斜率为66 mV，关断状态电流<100 fA/μm，开/关比高达5.5×109。亚阈值状态下工作的逻辑反相器在0.5V的低电源电压下表现出了178倍的高增益。这种ITO独特的宽带隙和低介电常数为未来先进低功率电子器件在5nm以下的扩展提供了广阔前景。
Shengman Li, Yanqing Wu et al, Nanometre-thin indium tin oxide for advanced high-performance electronics, Nature Materials, 2019
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