基于CdTe的太阳能技术已经实现了所有能源中最低水平的电力成本之一以及最先进的现场稳定性。目前主流技术是，将快速CdTe沉积与CdCl2退火和Cu掺杂相结合。由此产生的缺陷化学成分得到了很好的补偿，并将有用的空穴密度限制在~1014 cm-3，从而为填充因子，光电压和效率创造了一个上限。此外，Cu容易改变能量状态并在空间上扩散，从而产生潜在的不稳定风险。美国国家可再生能源实验室W. K. Metzger团队通过掺杂多晶CdSexTe1-x和CdTe薄膜与As同时从太阳能电池中完全去除Cu来证明了显著的变化。吸收层多数载流子密度在不损害寿命的情况下增加了数量级至1016-1017cm-3，并且与大于30 mA cm-2的高光电流耦合。展示了在多晶薄膜中掺入快速掺杂剂，提高稳定性和获得20.8％太阳能电池效率的途径。
Exceeding 20% efficiency with in situ group V doping in polycrystalline CdTe solar cells
https://www.nature.com/articles/s41560-019-0446-7
