二维半导体材料由于其超薄的体厚度（~ 1 nm）使得其成为极有潜力的晶体管沟道材料，可用于未来极小集成电路。二维材料超薄的体厚度带来强劲的栅极控制，从而减小困扰着当今纳米电子器件的短沟道效应。缩放晶体管的尺寸需要同时减小沟道（源极到漏极的距离）和接触（源极和漏极本身）的尺寸。虽然减小沟道尺寸经常被研究，减小接触电极本身的尺寸还极少被研究，成为影响未来各种半导体器件发展的瓶颈。
杜克大学Aaron Franklin团队和北卡罗来纳州立大学Linyou Cao团队实现了世界上首次纯in situ边缘接触一层到多层二维材料，并研究了边缘接触对减小接触尺寸的影响，最小至20 nm。使用定向氩离子束，实现了各种金属对各个厚度的二维材料之间的in situ边缘接触。Cross-sectional STEM也用来用表征不同边缘接触的原子级形态。 原位边缘接触与现有最好的非原位边缘接触相比，展现了超过10倍的性能提升。更重要的是，原位边缘接触方案有力的解决了晶体管中的缩放接触电极尺寸问题，开辟了设计二维材料器件的新方法。
Zhihui Cheng, Yifei Yu, Shreya Singh, Katherine Price, Steven G Noyce, Yuh-Chen Lin, Linyou Cao, Aaron D Franklin, Immunity to Contact Scaling in MoS2 Transistors Using in Situ Edge Contacts. Nano Letters, 2019.
