动态随机存取存储器（DRAM）单元通常用在电子设备中，并由单个晶体管和电容器形成。已经提出了基于浮体效应的替代方法，其可以通过去除外部电容器来降低制造复杂性并最小化单元占用面积。这种无电容器DRAM已在硅中得到证明，但其他材料（包括III-V化合物半导体）的使用仍然未完全开发，尽管其可以提高性能。格拉纳达大学Carlos Navarro团队报道了基于铟镓砷（InGaAs）的无电容单晶体管DRAM元件。基于InGaAs绝缘体晶体管，研究人员展示了每种逻辑状态的不同电流水平，从而证明了成功的存储器行为，直到栅极长度为14 nm。

Capacitor-less dynamic random access memory based on a III–V transistor with a gate length of 14 nm, Nature Electronics，2019

DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-019-0282-6.