最近在二维范德华材料中发现的铁磁性为具有特殊性能的自旋电子器件提供了希望。然而，要使用二维范德华磁体来构建诸如磁存储器之类的自旋纳米器件，有效地将磁化从一种状态转换为另一种状态仍然是关键挑战。中科院物理研究的Guoqiang Yu、Guangyu Zhang以及中科院金属研究所的Zheng Han联合设计了一个Fe3GeTe2/Pt的双层结构，在这种结构中，由铂层中的电流产生的自旋轨道转矩（SOTs）可以有效地改变多层Fe3GeTe2的磁化强度。利用谐波测量进一步定量描述了SOT对应的有效磁场。我们在二维范德华磁体中演示SOT驱动的磁化开关可以为在下一代自旋电子学应用中实现低维材料铺平道路。
Wang, X.; Tang, J.; Xia, X.; He, C.; Zhang, J.; Liu, Y.; Wan, C.; Fang, C.; Guo, C.; Yang, W.; Guang, Y.; Zhang, X.; Xu, H.; Wei, J.; Liao, M.; Lu, X.; Feng, J.; Li, X.; Peng, Y.; Wei, H.; Yang, R.; Shi, D.; Zhang, X.; Han, Z.; Zhang, Z.; Zhang, G.; Yu, G.; Han, X., Current-driven magnetization switching in a van der Waals ferromagnet Fe<sub>3</sub>GeTe<sub>2</sub>. Science Advances 2019, 5 (8), eaaw8904.
DOI：10.1126/sciadv.aaw8904
https://advances.sciencemag.org/content/5/8/eaaw8904
