基于氧化还原的忆阻器件是未来非易失性存储器应用和神经形态电路最有吸引力的候选者之一，其性能取决于氧化还原过程和相应的氧离子动力学。在这方面，褐铁矿SrFeO2.5最近作为一种新型材料平台被引入，因为它具有用于电阻切换存储器件的优异的氧离子传输特性。然而，引起电阻转换的潜在氧化还原过程仍然知之甚少。近日，韩国外国语大学Chang Uk Jung联合Peter Gruenberg研究所Regina Dittmann通过使用X射线吸收光谱显微镜，证明了绝缘棕色微晶相SrFeO2.5和导电钙钛矿相SrFeO3之间可逆的基于氧化还原的趋向相变，产生了SrFeOx忆阻器件的电阻转换特性 。此外，发现电场引起的相变在（001）取向的SrFeO2.5器件中扩展大面积，其中氧空位沟道沿器件的面内方向排序。相反，具有面外取向的氧空位通道的（111）生长的SrFeO2.5器件从底部电极到顶部电极显示出局部相变。这些发现提供了对金属 - 绝缘体趋势相变框架内基于SrFeOx的忆阻器件中的电阻切换机制的详细了解。
Nallagatla, V. R. Jung, C. U. Dittmann, R. et al. Topotactic Phase Transition Driving Memristive Behavior. AM 2019.
DOI:10.1002/adma.201903391
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adma.201903391
