由于有趣的宽带发射，低维卤化铅钙钛矿材料最近备受关注，但铅的毒性将阻碍其未来的发展。近日，中山大学Dai-Bin Kuang团队报道了一种新型无铅（C 4 H 14 N 2）2 In 2 Br 10单晶，具有独特的零维（0D）结构，由[InBr 6] 3-八面体和[InBr 4] - 四面体单元构成。单晶显示宽带光致发光（PL）几乎跨越整个可见光谱，寿命为3.2μs。计算和实验研究揭示了[InBr 6] 3-八面体单元中的激发态结构变形能够形成内在的自陷激子（STE），从而有助于广泛的发射。此外，飞秒瞬态吸收（fs-TA）测量表明，超快速STEs的形成以及有效的系统间跨越已经对长寿命和广泛的基于STE的发射行为做出了重大贡献。这些结果不仅提供了一种新颖的无铅发光材料，而且还揭示了结构与PL特性之间的关系。
Zhou, L. Kuang, D.-B. et al. Intrinsic Self‐Trapped Emission in 0D Lead‐Free (C4H14N2)2In2Br10 Single Crystal. Angew. 2019.
DOI:10.1002/anie.201907503
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/anie.201907503
