Nanographenes,定义为纳米级(1-100nm)石墨烯切口,包括准一维石墨烯纳米带(GNR)和准零维石墨烯量子点(GQD)。由于量子限制,Nanographenes有望用于有限带隙的下一代半导体,与无间隙二维石墨烯相比具有明显优势。与无机半导体中的原子掺杂策略类似,将杂原子掺杂到Nanographenes中是调节其光学,电子,催化和磁性的可行方法。近日,南开大学Xiao-Ye Wang,马普所Akimitsu Narita,Klaus Müllen等总结了他们团队在过去十年中对大杂原子掺杂Nanographenes的合成和性质研究的相关进展。作者首先介绍了基于原型纳米石墨烯分子的杂原子掺杂的几个例子;然后介绍了杂原子掺杂的锯齿形边缘和各种包含氮,硼和氧原子的锯齿形边缘纳米石墨烯分子;最后总结了基于分子情况成功的杂原子掺杂的GNRs。
Xiao-Ye Wang,* Xuelin Yao, Akimitsu Narita,* and Klaus Müllen*. Heteroatom-Doped Nanographenes with Structural Precision. Acc. Chem. Res., 2019
DOI: 10.1021/acs.accounts.9b00322