低维铁电体的实现既具有吸引力，又具有实际吸引力，可用于纳米级器件。莱斯大学Boris I. Yakobson和东南大学Shuai Dong预测leGeS和SnS纳米线是一维（1D）铁电体，具有由软光学模式自发破坏的反转对称性。尽管维度较低，但GeS纳米线的估计居里点高于室温，有利于实验检测并提出实际应用。为此，还研究了这些1D铁电体的其他方面，揭示了畴壁定位，可切换的载流子迁移率，以及通过将纳米线限制在碳纳米管内部而实际有效的分离。

Room-temperature ferroelectricity in group-IV metal chalcogenide nanowires

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.9b03201