Angew:掺杂和插层协同作用实现MoS2深度相变,用于高效析氢反应
芣苢 西瓜 2019-09-06

MoS2的电化学性质与其相组分密切相关。目前,实现从半导体2H-MoS2到金属态1T-MoS2获得高性能的可控深度相变仍然是一个巨大的挑战。近日,浙江大学Xinhui Xia,中科院上海应用物理所Zheng Jiang,中科院物理所Lin Gu等多团队合作,报道了N掺杂和PO43-插层共用的协同策略,实现诱导2H-MoS2到1T-MoS2达~41%的高转化率,远高于单N掺杂(~28%)或单PO43- 插层(~10%)的转化率。作者通过同步辐射和球差TEM技术证实了从2H相到1T相的协同相变的散射机制。为了进一步增强反应动力学,将(N,PO43-)-MoS2纳米片与导电垂直石墨烯(VG)组合,形成无粘合剂阵列,用于高效析氢反应(HER)。由于带隙减小,d带中心较低,氢吸附/解吸能量较小,(N,PO43-)-MoS2 / VG电极显示出优异的HER性能,Tafel斜率和过电位均低于文献中的N-MoS2/VG,PO43--MoS2/ VG和其它Mo基催化剂。

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Shengjue Deng, Zheng Jiang,* Lin Gu,* Xinhui Xia*, et al. Synergistic doping and intercalation: a new way to realize deep phase modulation on MoS2 arrays for high‐efficiency hydrogen evolution reaction. Angew. Chem. Int. Ed., 2019

DOI: 10.1002/anie.201909698

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.201909698

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