减少非辐射复合以及减少有害缺陷对于获得显著的性能甚至达到其理论极限是重要的，其被认为是长光致发光（PL）寿命的标志。北京科技大学Linxing Zhan和 Jianjun Tian团队制备了聚合物包层CsPbI₂Br（CPI₂）的无机卤化物钙钛矿薄膜。具有的超长2500 ns的超长PL寿命，这是迄今为止在无机卤化物钙钛矿中测量的最长的PL寿命。通过引入具有两种改性的聚乙烯吡咯烷酮（PVP）来实现这种增强的寿命：晶粒表面上的陷阱态的化学钝化，主要是由于O-Pb共价键的相互作用，以及结晶度的改善导致晶粒内部的减少缺陷。PVP同时引起稳态PL强度和量子效率的显著增强。

Zhang, L. et al. Ultra-long Photoluminescence Lifetime in Inorganic Halide Perovskite Thin Film. J. Mater. Chem. A (2019).

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/ta/c9ta07412k#!divAbstract