众所周知，晶体位错是导致常规半导体器件中不利载流子动力学的主要原因之一。卤化钙钛矿在光电器件中具有广阔的应用前景。然而，错位如何影响其“缺陷耐受”卤化钙钛矿中的载流子动力学在很大程度上是未知的。近日，昆明理工大学Jing Feng联合北京科技大学Lei Gao、伦斯勒理工学院Jian Shi通过使用涂有石墨烯的极性基板的远程外延方法，我们合成具有受控位错密度的外延卤化钙钛矿。第一原理计算和分子动力学模拟分别揭示了远程外延中薄膜 - 基底相互作用和低密度位错机制。高分辨率透射电子显微镜，高分辨率原子力显微镜和Cs校正扫描透射电子显微镜揭示了远程外延膜的晶格/原子和位错结构。位错密度的控制使得能够揭示卤化钙钛矿中的位错 - 载流子动力学关系。该研究为开发独立的卤化钙钛矿薄膜提供了一条途径，该薄膜具有低位错密度和改善的携带动力学。

Jiang, J. Gao, L. Feng, J. Shi, J. et al. Carrier lifetime enhancement in halide perovskite via remote epitaxy. Nat. Commun. 2019. 

DOI:10.1038/s41467-019-12056-1

https://www.nature.com/articles/s41467-019-12056-1