晶格缺陷通常会降低晶格热导率，这已经在诸如热电能量转换的应用中被广泛利用。麻省理工学院Caroline A. Ross团队在外延WO3薄膜中证明了晶格热导率对点缺陷的异常依赖性。取决于衬底，外延WO3的晶格随着质子通过电解质门控插入而膨胀或收缩，或者通过调节生长条件引入氧空位。观察到的晶格体积而不是缺陷浓度在确定热导率中起主导作用。随着质子嵌入，热导率明显增加，这与点缺陷通常降低晶格热导率的预期相反。通过电解质门控可以使热导率动态变化约为1.7，并通过调节膜生长期间的氧气压力进行调节。电解质门控引起的热导率和晶格尺寸的变化通过多个循环是可逆的。这些发现不仅扩展了对复杂氧化物中热传输的基本理解，而且提供了动态控制热导率的途径。
Ning, S., Huberman, S. C., Ding, Z., Nahm, H.‐H., Kim, Y.‐H., Kim, H.‐S., Chen, G., Ross, C. A., Anomalous Defect Dependence of Thermal Conductivity in Epitaxial WO3 Thin Films. Adv. Mater. 2019, 1903738.
https://doi.org/10.1002/adma.201903738
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201903738
