在宽带隙p沟道晶体管的氮化物半导体中，高导电性二维（2D）空穴气体是和2D电子气一样至关重要。康奈尔大学Reet Chaudhuri团队报道了在AlN上外延生长的GaN中极化诱导的高密度二维空穴气体。研究表明，这种空穴气体可以在没有受体掺杂剂的情况下形成。测得的高2D空穴气体密度约为5×10¹³ cm^-2，在低温下仍保持不变，并且在所有宽带隙半导体中允许某些最低的p型薄层电阻。该结果为研究宽带隙氮化物界面的价带结构和传输性质提供了一个有效尝试。

A polarization-induced 2D hole gas in undoped gallium nitride quantum wells，Science

DOI: 10.1126/science.aau8623

https://science.sciencemag.org/content/365/6460/1454