热电子可以极大地提高太阳能电池的效率，并使对能量要求很高的光化学反应敏感。通过电子-声子散射，典型半导体中热电子的亚皮秒级带内冷却已经阻碍了有效的热电子器件。预计半导体量子点将表现出热电子弛豫的“声子瓶颈”，因为它们的量子限制电子将非常低效地耦合到声子。然而，典型的硒化镉点仍表现出亚皮秒级的热电子冷却，可能通过俄歇式过程绕过了声子瓶颈，从而将过多的热电子能量转移到空穴中。近日，中国科学院大连化学物理研究所Kaifeng Wu证明了由于铜掺杂剂捕获的飞秒空穴，这种冷却机制可以在掺铜硒化镉胶体量子点中得到抑制。研究人员观察到1P_e热电子的寿命约为8.6皮秒，比相同尺寸的无掺杂点（约0.25皮秒）长30倍以上。

Wang, L. Wu, K. et al. Observation of a phonon bottleneck in copper-doped colloidal quantum dots. Nat. Commun. 2019

DOI:10.1038/s41467-019-12558-y

https://www.nature.com/articles/s41467-019-12558-y