在过去的二十年中，基于III族氮化物半导体的光电子器件领域已经取得了显著进步。就可见光-紫外光谱范围内的光子学应用而言，III族氮化物是最有前途的材料之一。例如，新兴的基于氮化镓（GaN）的微发光二极管（LED）技术可用于高分辨率显示，而UV光检测则可用于环境监测，健康和医疗应用。近日，南京大学Bin Liu研究团队通过光刻和纳米压印图案技术将II–VI量子点集成在一起的微型/纳米混合LED，实现了高性能的红色/绿色/蓝色和白色发射。因此，等离子纳米激光器是使用金属氧化物半导体结构设计和制造的，其中强的表面等离子极化耦合可从可见光到紫外可调光谱范围的低激发阈值的情况下产生有效的激光。此外，该团队还通过偏振工程技术，实现了高性能具有单独吸收和倍增结构的AlGaN UV日盲雪崩光电二极管（APD）。这些APD可提供高达1.6×10⁵的创纪录的高雪崩增益。纳米/微型LED，纳米激光和APD的这些最新进展可以揭示III型氮化物在前沿应用中的新兴功能。

Liu, B. et al. Hybrid Light Emitters and UV Solar‐Blind Avalanche Photodiodes based on III‐Nitride Semiconductors. AM 2019.

DOI:10.1002/adma.201904354

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201904354