半导体胶体量子点（CQD）具有尺寸和组成可调的高色纯度发光。重要的是，它们的发射可以深入近红外（NIR-II）（1,000-1,7001nm）中。然而，迄今为止的低效率阻碍了其应用。近日，希腊德谟克利特国家科学研究中心

Maria Vasilopoulou联合克里特岛大学Athanassios G. Coutsolelos、庆熙大学Abd. Rashid bin Mohd Yusoff

报道了NIR-II CQD发光二极管，其外部量子效率为16.98％，在波长1,397 nm处的功率转换效率为11.28％。其高性能通过器件工程实现。该技术可提供高的光致发光量子产率和接近于完美的电荷平衡。更具体地说，研究人员采用了一种二元发射层，该发射层由分散在钙钛矿基质中的二氧化硅封装的硫化银（Ag₂S @ SiO2）CQD组成，该基质用作附加的钝化介质和为发光CQD提供载流子。空穴注入触点还具有薄的卟啉夹层，以平衡器件电流并增强载流子的辐射复合。

Vasilopoulou, M. et al. Efficient colloidal quantum dot light-emitting diodes operating in the second near-infrared biological window. Nat. Photon. 2019.

DOI:10.1038/s41566-019-0526-z

https://www.nature.com/articles/s41566-019-0526-z