ACS Nano:缺陷调控策略提高MoSSe材料快速稳定储钾
雨辰 雨辰 2019-10-16

空位工程在控制电子结构和活性位点方面具有独特性质,是提高过渡金属双卤代烷(TMDs)储能性能的一种很有前途的方法,然而,有效地大规模引入空位阴离子空位仍然是一个巨大的挑战。近日,澳大利亚伍伦贡大学的郭再萍和中南大学的王海燕合作通过简单的合金化反应,得到了原位引入负离子空位的MoS2(1-x)Se2x合金,通过调整化学成分可以优化空位浓度。实验和密度泛函理论计算结果表明,MoS2(1-x)Se2x合金中的阴离子空位可以提高合金的电导率,诱导形成更多的活性位点,同时缓解合金在钾离子存储过程中的结构变化。当作为钾离子电池阳极时,最优的富空位MoSSe合金在100和1000 mA/g时的可逆容量分别为517.4和362.4 mAh/g,此外,经过1000次循环,220.5 mAh/g的可逆容量可以维持在2000 mA/g。本工作为改善TMDs的电子和缺陷特性提供了一种实用的方法,为构建电池系统的先进电极材料提供了一种有效的策略。

Hanna He, Dan Huang, Qingmeng Gan, Junnan Hao, Sailin Liu, Zhibin Wu, Wei Kong Pang, Bernt Johannessen, Yougen Tang, Jing-Li Luo, Haiyan Wang, Zaiping Guo. Anion Vacancies Regulating Endows MoSSe with Fast and Stable Potassium Ion Storage. ACS Nano, 2019.

DOI: 10.1021/acsnano.9b05865

https://doi.org/10.1021/acsnano.9b05865


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