在光电催化电解水中，半导体光阳极材料常采用在掺杂或者在表面修饰助催化剂的方法，来解决电荷复合和高催化势垒的问题。而近日瑞典皇家理工学院Biaobiao Zhang 团队，通过简单的在硼酸盐缓冲溶液中浸泡BiVO₄样品，以用来解决以上问题。在这种简单的方法中，通过在分子水平上引入硼酸盐基团来改善BiVO₄的局部催化环境。自锚定的硼酸盐作为钝化剂，有效的减少了表面电荷重组；配体用于修饰催化中心，以更快的促进水氧化。改性后的BiVO₄光阳极在不需要掺杂或对催化剂改性的情况下，在1.23V的偏压下光电流密度为3.5 mA cm^-2，起始电位相对于原始的BiVO₄负移了250 mV左右。这为提高光电阳极的光电化化学性能提供了一种非常简单的方法。

Qijun Meng，Biaobiao Zhang* et al. Efficient BiVO₄ photoanodes by postsynthetic treatment: remarkable improvements in photoelectrochemical performance from facile borate modification. Angew., 2019.

DOI:10.1002/anie.201911303

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.201911303