基于化学吸附的赝电容器包含氧化还原活性位点，该活性位主要由在电极表面晶格中具有不饱和配位的过渡金属离子组成。电容通常由多孔微结构、电子传导和多孔电极中的活性位点的协同作用决定。

中科院福建物构所谢奎课题组通过将扭曲表面上不饱和配位的长程有序排列的活性位点，金属态的高电导率以及多孔微结构的大表面积相结合，以2 cm尺度的规模生长金属多孔过渡金属氮化物单晶，以增强赝电容。其中，活性金属氮位点的远距离排序说明化学吸附中的快速氧化还原反应，而高电导率和多孔微结构则促进了电荷在电极中的转移和物质扩散。最后，多孔MoN、Ta₅N₆和TiN单晶在酸性和碱性电解质中，均展示出增强的重量和面积赝电容以及出色的循环稳定性。

Shaobo Xi, Guoming Lin, Lu Jin, Hao Li, Kui Xie, Metallic porous nitride single crystals at two-centimeter scale delivering enhanced pseudocapacitance, Nature Communications, 2019.

DOI: /10.1038/s41467-019-12818-x

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