电阻式开关(RS)存储器一直处于下一代非易失性存储器技术的前沿。近年来，一种新型的过渡金属氧化物(TMOs)在绝缘褐铝石(BM)相和导电钙钛矿(PV)相之间表现出可逆的拓扑转变，成为RS存储器的候选材料。然而，RS在这些TMOs中的微观机制仍不清楚。此外，同时具有高密度和优异存储性能的RS设备尚未被报道。近日，华南师范大学的樊贞和新加坡国立大学的Stephen J. Pennycook以SrFeOx为模型系统，直接观察到PV相SrFeO₃纳米细丝在on状态时由BM相SrFeO_2.5基体形成并延伸，在off状态时断裂，明确揭示了丝状RS的机制。制备的纳米细丝直径约为10 nm，首次使Au/SrFeOx/SrRuO₃ RS器件缩小到100 nm范围以内。这些纳米器件表现出良好的性能，包括高达约104的开/关比、超过105 s的保留时间和长达107次循环的耐久度。这项研究极大地促进了对TMOs中拓扑相转变的RS机制的理解，同时也证明了这些材料在高密度RS存储器中的应用潜力。

Junjiang Tian, Haijun Wu, Zhen Fan, Yang Zhang, Stephen J. Pennycook, Dongfeng Zheng, Zhengwei Tan, Haizhong Guo, Pu Yu, Xubing Lu, Guofu Zhou, Xingsen Gao. Nanoscale Topotactic Phase Transformation in SrFeOx Epitaxial Thin Films for High‐Density Resistive Switching Memory. Advanced Materials. 2019

DOI: 10.1002/adma.201903679

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201903679