限制二维半导体应用的一个主要挑战是空位引起的有害电子陷阱态。近日，中国电子科技大学Zhiguo Wang、德克萨斯大学奥斯汀分校Yuanyue Liu使用经典密度泛函理论计算，提出了一种新的方法，即使用溶液电化学消除二维过渡金属二硫化物中空位的陷阱态，同时保持材料完好无损。这种电化学方法的成功是基于电极电位氧与硫属元素之间的同价的选择性控制。通过引入各种单一金属原子来功能化空位，这些金属原子可以引入磁性、调节载流子浓度/极性和/或激活单原子催化，从而实现广泛的潜在应用。该方法可推广到其它二维材料，为改善二维材料的性能和拓展应用开辟了新的途径。

Jianjian Shi, Xunhua Zhao, Zhiguo Wang, Yuanyue Liu. Eliminating Trap‐States and Functionalizing Vacancies in 2D Semiconductors by Electrochemistry. Small. 2019

DOI: 10.1002/smll.201901899

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.201901899