电阻切换（RS）存储器一直处于下一代非易失性存储器技术的最前沿。最近，一类新型的过渡金属氧化物（TMOs）作为RS存储器的有希望的材料已经出现，该TMOs在绝缘的褐镁矿（BM）相和导电钙钛矿（PV）相之间表现出可逆的全相转变。尽管如此，RS在这些TMOs中的微观机制仍不清楚。此外，尚未报道具有同时高密度和优异的存储性能的RS设备。新加坡国立大学Stephen J. Pennycook和华南师范大学Zhen Fan团队以SrFeO_x作为模型系统，可以直接观察到PV SrFeO₃纳米丝在ON状态下形成并几乎穿过BM SrFeO_2.5基体延伸，而在OFF状态下破裂，这清楚地揭示了丝状RS机制。纳米丝的直径约为10 nm，首次使Au/SrFeO_x/SrRuO₃ RS器件的尺寸缩小到100 nm。这些纳米器件表现出良好的性能，包括高达约10⁴的开/关比，超过10⁵ s的保持时间以及长达10⁷个循环的耐久力。这项研究显著提高了对表现出正相变的TMO中RS机制的理解，也证明了这些材料在高密度RS存储器中使用的潜力。

Nanoscale Topotactic Phase Transformation in SrFeO_x Epitaxial Thin Films for High‐Density Resistive Switching Memory. Adv. Mater. 2019, 1903679. https://doi.org/10.1002/adma.201903679

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201903679