近日，东京工业大学Masahiro Miyauchi，筑波大学Takahiro Kondo等通过在乙腈溶液中对二硼化镁（MgB2）进行离子交换处理，简便的合成了硼化氢纳米片（HB片）。吸收光谱和荧光光谱研究表明，该HB片的带隙能为2.8 eV。第一性原理计算表明，2.8 eV处的光吸收是B和H轨道σ键态之间的电子跃迁。此外，DFT计算表明，另一个允许的跃迁是从B和H轨道的σ键态到反键态，间隙为3.8 eV。实验发现，HB片在光辐照下会释放大量的H2，即使在温和的环境条件下，这也会导致电子从σ键态转变为反键态。辐照HB片释放的H2的量约占总质量的8％，这表明与先前报道的金属H2存储材料相比，该HB片具有较高的H2存储容量。
Reiya Kawamura, Nguyen Thanh Cuong, Takahiro Kondo,* Masahiro Miyauchi,* et al. Photoinduced hydrogen release from hydrogen boride sheets. Nat. Commun., 2019
DOI: 10.1038/s41467-019-12903-1
