晶格中的掺杂是指引入非常少量的外来原子，并且通常对降低晶格热导率的影响很小。这与合金化不同，合金化涉及大量其他元素，并会大大增强点缺陷声子的散射。Mercouri G. Kanatzidis团队通过仅将3％的In合金化到CuFeS₂黄铜矿化合物的菱形晶格的Cu位置上，该化合物在降低化合物的晶格热导率方面具有明显作用。在630 K下，将化合物的晶格热导率从2.32降至1.36 Wm^-1K^-1。研究发现，In在Cu子晶格上时并未完全离子化为+3，并且主要以+1氧化态存在。In掺杂在结构的Fe³⁺位置上处于相同掺杂水平（并以与位点相容的In³⁺状态存在）的控制材料对声子散射的影响要小得多。

Large thermal conductivity drops in the diamondoid lattice of CuFeS₂ by discordant atom doping, J. Am. Chem. Soc. 2019

https://doi.org/10.1021/jacs.9b10983

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.9b10983