利默里克大学Kevin M. Ryan等人把金属铜基板上高密度生长的硅化铜（Cu₁₅Si₄）纳米线（NWs）用作非晶硅（aSi）沉积的纳米结构支架，与平面基板相比，导电性Cu₁₅Si₄ NW支架可提供更大的表面积，并能够制备由纳米结构活性材料组成的高容量锂离子负极。

形成方法涉及两步过程，其中通过溶剂气相生长（SVG）方法从Cu基板合成Cu₁₅Si₄纳米线，然后进行aSi的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。对最终无粘结剂的材料进行半电池和全电池（对于LCO）研究，半电池中，200个循环后放电容量大于2000 mAh g^-1。在5C下的半电池和全电池分别高达1367 mAh g^-1和1520 mAh g^-1的容量。

Killian Stokes, Hugh Geaney, Martin Sheehan, Dana Borsa, Kevin M. Ryan, Copper Silicide Nanowires as Hosts for Amorphous Si Deposition as a Route to Produce High Capacity Lithium-ion Battery Anodes, ACS Nano, 2019.

DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b03664

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.9b03664