硅光电二极管广泛用于需要测量可见光的强度，颜色和位置的应用中。硅由于其低成本，低噪声以及易于与读出电子设备进行片上集成而成为这些系统的诱人材料。但是，由于硅的带隙为1.12 eV，因此硅不能有效地用于检测近红外（NIR，在700–1,000 nm）光和短波红外（SWIR，在1,000–1,700 nm）的光。浦项工科大学Chang-Ki Baek团队报道了基于沙漏形硅纳米线的硅光电二极管，该硅纳米线使用回音壁模来增强其在光谱的NIR-SWIR区域中的光响应。该设备在700–1,100 nm处比现有的硅光电二极管具有更高的响应度和外部量子效率。此外，在1,000 nm处的响应度与商用InGaAs光电二极管相似，并且还可以检测到1,400 nm处的光。

Whispering gallery modes enhance the near-infrared photoresponse of hourglass-shaped silicon nanowire photodiodes，Nature Electronics (2019)

https://www.nature.com/articles/s41928-019-0317-z