金属卤化物钙钛矿因其高色纯度和易溶液加工特性在发光二极管领域引起研究人员广泛的关注。然而，大多数钙钛矿发光二极管（PeLED）在钙钛矿层的顶部均通过热沉积方法制备电荷传输层（CTL）。为了实现低成本PeLED和其可扩展制备，全溶液器件工艺是最为迫切解决的问题。近日，上海大学杨绪勇联合四川大学赵德威通过在PFN电子注入层中掺入TPBi分子制备了高性能全溶液PeLED（最大亮度为9875 cd m^-2，最大电流效率为10.41 cd A^-1，最大EQE为3.19％）。由于钙钛矿前驱体溶剂和PFN的溶剂是正交的，因此溶液法制备CTL过程不会破坏钙钛矿膜。TPBi掺杂到PFN中，增强了电子注入的能力，并且，由于钙钛矿和PFN的功函数差异减小，因电荷转移而引起的钙钛矿膜的发射猝灭也得到了抑制。该工作为开发全溶液方案的PeLED提供了有效的方法。

Yang, X. Zhao, D. et al. Efficient All-Solution-Processed Perovskite Light-Emitting Diodes Enabled by Small-Molecule Doped lectron Injection Layers. AOM 2019.

DOI:10.1002/adom.201900567

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.201900567