近红外(NIR)照明在新的面部识别技术和眼睛跟踪设备中扮演着越来越重要的角色，在这些领域中需要隐蔽的和不可见的照明。传统的基于GaAs的二极管目前无法满足这些要求。胶体量子点（QD）和新兴的钙钛矿发光二极管（LED）可能填补了这一空白，但受限制其重金属物质（例如镉或铅），很难实现商业化应用。近日，新加坡国立大学Zhi-Kuang Tan研究团队报道了一种基于无重金属的In（Zn）As–In（Zn）P–GaP–ZnS量子点新型近红外发射二极管。量子点采用连续注入合成方法制备，具有巨大的壳结构，并在850 nm处显示强烈的光致发光，其量子效率高达75％。基于ITO / ZnO / PEIE / QD / Poly-TPD / MoO₃ / Al的电致发光器件，实现了4.6％的高外部量子效率和8.2 W sr^-1 m^-2的最大辐射率。对于采用胶体III–V半导体QD系统的NIR器件而言，该工作在性能的突破上取得重大进展，并且可能会在新兴的消费电子产品中找到重要的应用。

Tan, Z.-K. et al. Efficient Near-Infrared Light-Emitting Diodes based on In(Zn)As–In(Zn)P–GaP–ZnS Quantum Dots. AFM 2019.

DOI:10.1002/adfm.201906483

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201906483