电调制（EM）光谱技术可以监测光激发时材料的极化率p和偶极矩u的变化，它可以直接洞察材料的激子性质。但是，从电调制光谱中提取Δp和Δu取决于材料的光吸收拟合，而不同器件几何结构中的光学效应可能会导致提取值发生较大变化。近日，香港城市大学Sai-Wing Tsang研究团队在常用的反射和传输设备体系结构中采用各种拟合方法进行的系统电调制研究。研究发现，从测量结果和拟合结果之间的偏差得出的先前确定的连续状态阈值是可疑的。研究人员认为这种偏差是由忽略的光学干涉和电折射效应引起的。基于以上的发现，研究人员提出了一种综合了这两种效应的广义电调制模型，并且在所有有机膜厚度下，提取的Δp和Δu在反射和透射模式下均具有出色的一致性。

Tsang, S.-W. et al. A generalized Stark effect electromodulation model for extracting excitonic properties in organic semiconductors. Nat. Commun. 2019.

https://www.nature.com/articles/s41467-019-13081-w.pdf