Sb2S3薄膜太阳能电池中的界面对其开路电压（VOC）和功率转换效率（PCE）有着巨大的影响。减少缺陷是增加VOC和PCE的有效方法。近日，西北工业大学Xuanhua Li研究团队使用无机盐SbCl 3在Sb 2 S 3膜上进行后表面钝化处理。研究发现在Sb2S3表面上形成的一层SbCl3可以有效减少缺陷和抑制非辐射复合，并产生更高效率的电池。通过密度泛函理论计算发现SbCl3对Sb2S3表面的钝化作用是通过SbCl3分子中Sb和Cl分别与Sb2S3中S和Sb的相互作用而发生的。SbCl 3层的使用可以将VOC从0.58 V提高到0.72V。面积为0.1 cm2时，器件的平均PCE为6.9±0.1％，最高PCE为7.1％，这是Sb2S3平面太阳能电池中的最高PCE值。此外，SbCl3层还有助于Sb2S3器件拥有良好的稳定性，在室温，环境湿度（85±5％相对湿度）下保持1080h时，仍然可以拥有90％的初始性能。
Li，X. et al. Solution processed Sb2S3 planar thin film solar cell of conversion efficiency 6.9% at open circuit voltage 0.7 V achieved via surface passivation by SbCl3 interface layer. AMI 2019.
DOI:10.1021/acsami.9b15148
https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.9b15148
