钙钛矿纳米晶(NCs)掺杂策略为新兴的光学和光电应用打开了新的机遇。 近日,北京科技大学Zhiguo Xia研究团队展示了全无机无铅Cs2SnCl6和Sb3 +掺杂的Cs2SnCl6 NC的热注射合成。 Cs2SnCl6 NCs在438 nm处出现蓝色发射峰,而Sb3 +掺杂的NCs在615 nm处出现新的宽带发射峰。 研究发现,宽带橙色发射的形成源自三重态自陷激子,归因于3Pn-1S0跃迁(n = 0,1 ,2)。 该工作在Sb3 +掺杂的Cs2SnCl6材料中的研究结果提供了对掺杂诱导的发射中心机理的深刻见解,它扩展了掺杂卤化物NCs光学性质的现有知识,可作进一步研究。
Xia, Z. et al. Sb3+ Doping-Induced Triplet Self-Trapped Excitons Emission in Lead-Free Cs2SnCl6 Nanocrystals. JPCL 2019.
DOI:10.1021/acs.jpclett.9b03035
https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.jpclett.9b03035