新加坡南洋理工大学Qingyu Yan和美国西北大学Mercouri G. Kanatzidis团队介绍了Sb₂Si₂Te₆作为高性能热电材料。单晶X射线衍射分析表明，Sb₂Si₂Te₆具有以Sb³⁺阳离子和[Si₂Te₆]^6-为单元的层状二维结构，采用Fe₂P₂Se₆结构类型。Sb₂Si₂Te₆是一种直接带隙半导体。具有随机堆积晶粒的Sb₂Si₂Te₆多晶散装粒料在823 K时具有约1.08的固有高热电品质因数ZT。然后，形成具有覆盖Sb₂Si₂Te₆晶粒的超薄Si₂Te₃纳米片的蜂窝状纳米结构，其充当空穴传输电子阻挡层滤波器并同时引起额外的声子散射。蜂窝状纳米结构的双重功能实现了Sb₂Si₂Te₆在823 K时的超低热导率值〜0.29 Wm^-1K^-1和高ZT值〜1.65，以及高的平均ZT值〜0.98。

High-Performance Thermoelectrics from Cellular Nanostructured Sb₂Si₂Te₆，Joule， 2019

https://doi.org/10.1016/j.joule.2019.10.010

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2542435119305264