磷化镓（GaP）是一种间接带隙半导体，广泛用于固态照明中。尽管具有众多吸引人的光学特性，包括较大的χ（2）和χ（3）系数，高折射率（> 3）以及从可见光到长红外波长（0.55–11μm）的透明性，但它在集成光子材料很少研究。近日，IBM研究部（苏黎世）Paul Seidler联合洛桑联邦理工学院Tobias J. Kippenberg介绍了绝缘体上的GaP作为非线性光子学的平台，利用直接晶片键合方法实现电信C波段中损耗为1.2 dB cm-1的集成波导（与绝缘体上Si相当） 。研究人员制造并研究了高品质（Q> 105）的光栅耦合环形谐振器。利用调制传递方法，获得了在电信波长下GaP非线性指数的直接实验估计：n2 = 1.1（3）×10-17 m2 W-1。研究人员还观察到了具有工程色散的谐振器中Kerr频率梳的产生。实现了低至3µmW的参数阈值功率，随后是具有亚太赫兹间隔的宽带（> 100µnm）频率梳，倍频梳，以及在单独的设备中实现高效的拉曼激射。这些结果表明绝缘体上GaP的出现成为了集成非线性光子学的新型平台。
Seidler, P. Kippenberg, T. J. et al. Integrated gallium phosphide nonlinear photonics. Nat. Photon. 2019. 2019.
DOI:10.1038/s41566-019-0537-9
https://www.nature.com/articles/s41566-019-0537-9.pdf
