半导体纳米片（NPL）由于其类似于量子阱的电子和光学特性，已成为极具潜力的发光纳米晶。然而，它们的较低的光致发光量子产率（PLQY）和较差的稳定性阻碍了它们在器件中的应用。为了解决这些缺陷，苏黎世联邦理工学院Maksym V. Kovalenko团队提出了一种两步法以合成具有精确控制的壳成分的核/壳CdSe NPL。这种CdSe胶体量子阱具有渐变壳（CdS缓冲层和Cd_xZn_1-xS梯度层组成），并在红色光谱区（634-648 nm）处显示出明亮的发射（PLQY=75-89％）和窄的发射线宽（21 nm）。这些增强的光学性能使我们能够在纳秒激光激发下获得较低的放大自发辐射阈值（低至〜40 µJ/cm²）。我们还通过制备溶液处理的发光器件（LED）研究了这些NPL的电致发光性能。与具有仅1.80％外量子效率（EQE）的CdSe/CdS核/壳NPL-LED相比，使用渐变壳NPL的LED获得的EQE值有了明显提高（9.92％）。

Yusuf Kelestemur, Yevhen Shynkarenko, Marco Anni, Sergii Yakunin, Maria Luisa De Giorgi, Maksym V. Kovalenko. Colloidal CdSe Quantum Wells with Graded Shell Composition for Low-Threshold Amplified Spontaneous Emission and Highly Efficient Electroluminescence. ACS Nano, 2019

DOI：10.1021/acsnano.9b05313

原文链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.9b05313