量子点（QD）发光二极管（LED）具有出色的效率，色纯度，可靠性和成本效益的制造方式，因此是大面板显示器的理想选择。目前，红光，绿光和蓝光QD-LED的效率分别达到了20.5％、21.0％和19.8％，但是仍然需要改善器件的操作稳定性并更换它们有毒的镉成分。基于磷化铟（InP）的材料和器件的性能仍然远远落后于含镉的同类材料和器件。近日，三星先进技术研究院Eunjoo Jang团队介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法，其量子产率约为100％。研究人员在初始ZnSe壳的生长过程中添加氢氟酸以蚀刻掉氧化InP核表面，然后在340摄氏度下实现高温ZnSe的生长。工程化的壳厚度可抑制能量转移和俄歇复合，以保持高发光效率，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入。经过优化的InP / ZnSe / ZnS QD-LED的最大外部量子效率为21.4％，最大亮度为100,000cd m^-2，在100cd m^-2的条件下使用寿命长达一百万小时，该性能可与最新的含镉QD-LED媲美。这些已准备好的基于InP的QD-LED很快就可以在商业显示器中使用。

Jang, E. et al. Highly efficient and stable InP/ZnSe/ZnS quantum dot light-emitting diodes. Nature 2019.

DOI：10.1038/s41586-019-1771-5

https://www.nature.com/articles/s41586-019-1771-5