在基于卤化钙钛矿的电子器件中，离子迁移被认为是最有趣和最神秘的过程之一。一方面，离子迁移导致钙钛矿器件的滞后和稳定性差的问题。另一方面，离子迁移可以钝化钙钛矿器件的界面，从而改善了载流子的运输和收集。

     近日，香港科技大学杨世和团队针对以上问题综述了卤化物钙钛矿材料中的离子迁移。作者首先简要介绍钙钛矿材料中离子迁移问题的来源和性质。接下来，重点介绍由离子迁移产生的光电和结构现象及其对钙钛矿器件性能和稳定性的影响。作者还综述了有关离子迁移表征的最新文献，并重点介绍了表征技术。此外，作者还介绍了可以抑制离子迁移过程的不同方法。最后，将新兴的全无机卤化物钙钛矿材料中的离子迁移与杂化卤化物钙钛矿材料中的离子迁移进行了比较，并讨论了其对器件设计和性能的影响。

Yang, S. et al. Ion Migration: A “Double-Edged Sword” for Halide-Perovskite-Based Electronic Devices. small method 2019.

DOI:10.1002/smtd.201900552

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/smtd.201900552