随着卤化物钙钛矿器件性能的提高，器件结构变得越来越复杂，具有更多层。在决定卤化物钙钛矿装置的整体性能中，不同层之间的分子界面结构起着越来越重要的作用。但是，当前对这种界面结构在分子水平上的非破坏性理解受到限制，部分原因是缺乏适当的分析工具来就地探查掩埋的界面分子结构。密歇根大学Zhan Chen团队采用一种最新的非线性界面敏感光谱法（总频率生成（SFG）振动光谱法）来研究卤化物钙钛矿。SFG揭示了界面分子取向与卤化物钙钛矿器件性能直接相关。并讨论了SFG如何研究钙钛矿/空穴传输层和钙钛矿/电子传输层界面处的分子结构（例如取向）。这将促进SFG的使用，以亚单层界面敏感性无损地研究各种卤化物钙钛矿材料和器件中埋藏界面的分子结构。此类研究将有助于阐明埋藏界面的结构与功能的关系，有助于合理设计/开发卤化钙钛矿材料/器件，并提高性能。

Understanding Molecular Structures of Buried Interfaces in Halide Perovskite Photovoltaic Devices Nondestructively with Sub‐Monolayer Sensitivity Using Sum Frequency Generation Vibrational Spectroscopy，AEM，2019

https://doi.org/10.1002/aenm.201903053

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aenm.201903053