光量子信息处理将需要高效的光子电路，以连接芯片上的量子节点并跨越很长的距离。 这需要将可光学寻址的量子位有效地集成到光子电路中，以及将量子频率转换为电信频段。 4H-碳化硅（4H-SiC）拥有多种有前途的色心并且具有很强的二阶光学非线性，因此为片上量子光子学提供了独特的潜力。近日，斯坦福大学Jelena Vučković团队展示了在一个单一的整体平台中从色心发出的光的强烈增强和有效的光学频率转换。 该开发了一种与工业标准CMOS纳米制造兼容的4H-SiC薄膜制造工艺，并为通往行业兼容的，可扩展的基于色心的量子技术提供了一条可行的途径，包括单片生成和片上量子光的频率转换。

Vučković, J. et al. 4H-silicon-carbide-on-insulator for integrated quantum and nonlinear photonics. Nat. Photon. 2019.

DOI:10.1038/s41566-019-0556-6

https://www.nature.com/articles/s41566-019-0556-6.pdf