硅互补金属氧化物半导体集成电路的性能可以通过附加器件层的单片三维集成来增强。例如，硅集成电路在低电压（约1v）下工作，并且可以通过单片集成薄膜晶体管提供高压处理能力。近日，美国密歇根大学Rebecca L. Peterson的研究小组，表明高电压非晶氧化物半导体薄膜晶体管可以集成在硅集成电路的顶部，包含100纳米节点鳍场效应晶体管使用空气中的溶液过程。为了解决这两个器件层之间的电压失配问题，我们使用顶部肖特基、底部欧姆接触结构来减少非晶氧化物半导体电路开关电压。这些触点用于形成肖特基门控薄膜晶体管和具有优良开关性能的垂直薄膜二极管。因此，我们可以创建具有小于1.2 V的开关电压的高电压非晶氧化物半导体电路，其可以直接与硅集成电路集成。

Y oungbae Son , Brad Frost , Yunkai Zhao, et al. Monolithic integration of high-voltage thin-film electronics on low-voltage integrated circuits using a solution process. Nature Electronics, 2019.

DOI: 10.1038/s41928-019-0316-0

https://www.nature.com/articles/s41928-019-0316-0