缺陷会引起二维过渡金属二卤化金属电子性能的急剧变化，并影响其应用。表征小缺陷并使它们的结构与性能相关仍然是一个巨大的挑战。厦门大学任斌，王翔和中科院半导体研究所的谭平恒团队通过针尖增强拉曼光谱（TERS）对薄层MoS₂一维缺陷（边缘，台阶和褶皱等）进行高空间分辨的成像，获得了互相关联的AFM形貌与TERS光谱信息，系统研究了不同缺陷位的结构与电子性质。研究发现，与单层MoS₂的边缘和褶皱相比，两层MoS₂的边缘和一层-两层之间的台阶位具有独特的电子-声子相互作用，从而导致缺陷位附近~1.8 nm范围内材料的能带发生弯曲。缺陷位具有特殊电子能带结构以及高化学活性（如氧吸附），与完美的晶格结构相比具有较低的电子密度，从而在缺陷位和完美晶格结构之间形成10~19 nm范围的自由电子扩散长度。此外，该工作还利用对缺陷结构和电子性质敏感的拉曼振动模的谱峰位移，发展出可以区分不同类型的MoS₂边缘（zigzag和armchair）的方法。该工作表明了TERS在原位、高空间分辨表征缺陷位的结构和电子性质方面具有独特的优势，可以进一步推广到其他二维材料，从而有效地指导缺陷设计和材料应用。

Probing the edge-related properties of atomically thin MoS₂ at nanoscale, Nature Communications (2019)

https://www.nature.com/articles/s41467-019-13486-7

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